IPB026N06N
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB026N06N
特性：针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道， 正常电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
263
货期
现货
IPB026N06N参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 263 |
IPB026N06N概述
特性：针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道， 正常电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPB026N06N特性
暂无产品特性。
IPB026N06N应用领域
暂无应用领域。