IPB023N04NF2S
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB023N04NF2S
特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道, 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅; 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
758
货期
现货
IPB023N04NF2S参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 758 |
IPB023N04NF2S概述
特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道, 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅; 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPB023N04NF2S特性
暂无产品特性。
IPB023N04NF2S应用领域
暂无应用领域。
