IPB020NE7N3G
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB020NE7N3G
特性：为同步整流优化的技术。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷 × 导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道， 标准电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
10
货期
现货
IPB020NE7N3G参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPB020NE7N3G概述
特性：为同步整流优化的技术。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷 × 导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道， 标准电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
IPB020NE7N3G特性
暂无产品特性。
IPB020NE7N3G应用领域
暂无应用领域。