IPB019N06L3G-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
IPB019N06L3G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N场效应管， 采用Trench技术制造， 高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。 TO263； N—Channel沟道, 60V； 270A； RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
Brand
VBsemi
Package
TO-263(D2PAK)
Stock
10
货期
现货
IPB019N06L3G-VBParameters
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPB019N06L3G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N场效应管， 采用Trench技术制造， 高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。 TO263； N—Channel沟道, 60V； 270A； RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
IPB019N06L3G-VB特性
暂无产品特性。
IPB019N06L3G-VB应用领域
暂无应用领域。