IPB017N10N5LFATMA1-VB
IC
TO-263-7L
可供量大可议
IPB017N10N5LFATMA1-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO263； N—Channel沟道, 100V； 250A； RDS(ON)=1.2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4.5V； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用SGT技术， 适用于多个电子领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
TO-263-7L
库存
33
货期
现货
IPB017N10N5LFATMA1-VB参数
| 封装 | TO-263-7L |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 33 |
IPB017N10N5LFATMA1-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO263； N—Channel沟道, 100V； 250A； RDS(ON)=1.2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4.5V； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用SGT技术， 适用于多个电子领域和模块。
IPB017N10N5LFATMA1-VB特性
暂无产品特性。
IPB017N10N5LFATMA1-VB应用领域
暂无应用领域。