IPB017N10N5LF-VB
IC
TO-263-7
可供量大可议
IPB017N10N5LF-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO263-7L； N—Channel沟道； 100V； 250A； RDS(ON)=1.2(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
Brand
VBsemi
Package
TO-263-7
Stock
3
货期
现货
IPB017N10N5LF-VBParameters
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
IPB017N10N5LF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO263-7L； N—Channel沟道； 100V； 250A； RDS(ON)=1.2(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
IPB017N10N5LF-VB特性
暂无产品特性。
IPB017N10N5LF-VB应用领域
暂无应用领域。