IPB016N08NF2SATMA1
IC
PG-TO263-3
可供量大可议
IPB016N08NF2SATMA1
特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道， 正常电平。 经过100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤素
品牌
Infineon
封装
PG-TO263-3
库存
5
货期
现货
IPB016N08NF2SATMA1参数
| 封装 | PG-TO263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IPB016N08NF2SATMA1概述
特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道， 正常电平。 经过100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤素
IPB016N08NF2SATMA1特性
暂无产品特性。
IPB016N08NF2SATMA1应用领域
暂无应用领域。