IPB011N04N G
IC
TO-263-7
可供量大可议
IPB011N04N G
适用于ORing和不间断电源的N沟道MOSFET， 超低导通电阻， 雪崩额定值， 无铅镀层， 符合RoHS和无卤标准
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
10
货期
现货
IPB011N04N G参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPB011N04N G概述
适用于ORing和不间断电源的N沟道MOSFET， 超低导通电阻， 雪崩额定值， 无铅镀层， 符合RoHS和无卤标准
IPB011N04N G特性
暂无产品特性。
IPB011N04N G应用领域
暂无应用领域。