IPAW60R380CE-HXY

本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）典型值为260mΩ， 可有效降低导通损耗。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定可靠的栅极控制。 基于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性， 该器件适用于高频、高效率的功率变换场景， 如大功率开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块、可再生能源发电中的逆变系统以及高要求的电源适配与能量传输单元， 有助于提升系统能效和功率密度。