IPAN60R360PFD7S-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至260mΩ， 有助于减少功率损耗并提升系统效率。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定的驱动控制。 依托碳化硅材料的高耐压、低开关损耗特性， 该器件适用于高频高压工作环境， 典型应用包括高效开关电源、大功率DC-DC变换器、不间断电源、储能系统中的功率转换模块以及高性能逆变设备， 能够满足对能效、热管理和空间利用率有较高要求的电源设计需求。