IPAN60R360P7S-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至260mΩ， 适用于高效率功率转换设计。 其栅源电压范围为-5V至+16V， 具备良好的开关特性与热稳定性。 得益于碳化硅材料的优异性能， 该器件可在高频、高温环境下可靠运行， 广泛用于电源适配器、光伏逆变系统及高效开关电源模块中， 有效降低开关损耗， 提升系统整体能效。