IPAN60R180CM8XKSA1

8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术， 根据超结 (SJ) 原理设计。 结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性， 例如低振铃趋势、为所有产品实施快速体二极管 (CFD)， 对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。 此外， 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。