IPA65R650CE
自营可供
IC
TO-220F
IPA65R650CE
场效应管(MOSFET) 28W 650V 7A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
TO-220F
交期
现货
批次
两年内
IPA65R650CE参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 输入电容(Ciss) | 440pF |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 电流:10.1A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7,471 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 700V |
| 耗散功率(Pd) | 86W |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | IPA65R650CE |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.002815 |
IPA65R650CE概述
场效应管(MOSFET) 28W 650V 7A 1个N沟道
IPA65R650CE特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss, 损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层, 无卤素模塑料
- 适用于标准等级应用
IPA65R650CE应用领域
- 例如 PC 主机、适配器、液晶与等离子电视以及室内照明等设备的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关级。