IPA65R420CFDXKSA2-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备650V漏源击穿电压（VDSS）， 支持20A连续漏极电流（ID）。 其导通电阻（RDON）为380mΩ， 相比同类器件具有更低的导通损耗。 该参数组合适用于中高功率密度的电源转换场景， 如大功率适配器、服务器电源及照明驱动系统。 器件能在高电压环境下提供稳定的电流承载能力， 优化电路的热管理表现， 满足通用电子设备对高效功率开关的基础需求。