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IPA65R420CFDXKSA1-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

IPA65R420CFDXKSA1-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压达650V, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高耐压与大电流处理能力, 适用于大功率开关电源、光伏逆变器及电机驱动系统。 其低导通损耗特性有助于提升电能转换效率, 确保在高压工况下实现稳定的信号切换与能量传输控制, 满足各类高性能电力电子应用需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

24

货期

现货

IPA65R420CFDXKSA1-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

IPA65R420CFDXKSA1-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压达650V, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高耐压与大电流处理能力, 适用于大功率开关电源、光伏逆变器及电机驱动系统。 其低导通损耗特性有助于提升电能转换效率, 确保在高压工况下实现稳定的信号切换与能量传输控制, 满足各类高性能电力电子应用需求。

IPA65R420CFDXKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPA65R420CFDXKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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