IPA65R420CFDXKSA1-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
IPA65R420CFDXKSA1-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压达650V, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高耐压与大电流处理能力, 适用于大功率开关电源、光伏逆变器及电机驱动系统。 其低导通损耗特性有助于提升电能转换效率, 确保在高压工况下实现稳定的信号切换与能量传输控制, 满足各类高性能电力电子应用需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
24
货期
现货
IPA65R420CFDXKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
IPA65R420CFDXKSA1-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压达650V, 导通电阻典型值为380mΩ。 器件凭借高耐压与大电流处理能力, 适用于大功率开关电源、光伏逆变器及电机驱动系统。 其低导通损耗特性有助于提升电能转换效率, 确保在高压工况下实现稳定的信号切换与能量传输控制, 满足各类高性能电力电子应用需求。
IPA65R420CFDXKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPA65R420CFDXKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
