IPA65R1K0CEXKSA1-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备650V的漏源击穿电压（VDSS）， 能够承受较高的工作电压应力。 其连续漏极电流（ID）为10A， 适用于中等功率的开关电路。 器件导通电阻（RDON）为860mΩ， 在特定工况下影响导通损耗与热管理设计。 该产品主要应用于各类电源转换模块、照明驱动电路及电机控制单元中， 作为关键的功率开关元件， 实现电能的高效通断控制与信号调节功能。