IPA65R190E6XKSA1-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
IPA65R190E6XKSA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ， 可减少导通损耗。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定可靠的栅极驱动控制。 采用碳化硅材料， 器件具有优异的耐高温性能和高频开关能力， 适用于高效率的功率变换拓扑， 如PFC电路、DC-DC转换器及逆变电源， 能够满足对系统效率、功率密度和热管理有较高要求的应用需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
56
货期
现货
IPA65R190E6XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 56 |
IPA65R190E6XKSA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ， 可减少导通损耗。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定可靠的栅极驱动控制。 采用碳化硅材料， 器件具有优异的耐高温性能和高频开关能力， 适用于高效率的功率变换拓扑， 如PFC电路、DC-DC转换器及逆变电源， 能够满足对系统效率、功率密度和热管理有较高要求的应用需求。
IPA65R190E6XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPA65R190E6XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。