IPA65R190CFDXKSA2-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）典型值为160mΩ， 可有效降低导通损耗。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定可靠的栅极驱动控制。 基于碳化硅材料的高开关速度与耐高温特性， 该器件适用于高频率、高效率的功率转换电路， 如大功率开关电源、光伏逆变装置及高密度电源系统， 能够满足对能效和功率密度有较高要求的应用场景。