IPA65R190C7XKSA1-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
IPA65R190C7XKSA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的漏极电流能力， 漏源击穿电压为800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性， 适合在高频、高效率的电源拓扑中使用， 如开关电源、光伏逆变器及高密度功率转换模块。 其参数组合有助于降低系统能耗并简化热管理设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
6
货期
现货
IPA65R190C7XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
IPA65R190C7XKSA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的漏极电流能力， 漏源击穿电压为800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性， 适合在高频、高效率的电源拓扑中使用， 如开关电源、光伏逆变器及高密度功率转换模块。 其参数组合有助于降低系统能耗并简化热管理设计。
IPA65R190C7XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPA65R190C7XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。