IPA65R150CFDXKSA2-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
IPA65R150CFDXKSA2-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源耐压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）典型值为110mΩ， 有助于降低导通损耗。 栅源电压范围为-4V至+18V， 支持稳定驱动与可靠关断。 采用宽禁带半导体材料， 具有优异的高温工作性能和开关特性， 适用于高功率密度电源系统。 常见于高效直流-交流逆变装置、高压直流变换拓扑及高频开关电源模块中， 可提升系统效率并减少散热设计负担。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
4
货期
现货
IPA65R150CFDXKSA2-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IPA65R150CFDXKSA2-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源耐压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）典型值为110mΩ， 有助于降低导通损耗。 栅源电压范围为-4V至+18V， 支持稳定驱动与可靠关断。 采用宽禁带半导体材料， 具有优异的高温工作性能和开关特性， 适用于高功率密度电源系统。 常见于高效直流-交流逆变装置、高压直流变换拓扑及高频开关电源模块中， 可提升系统效率并减少散热设计负担。
IPA65R150CFDXKSA2-HXY特性
暂无产品特性。
IPA65R150CFDXKSA2-HXY应用领域
暂无应用领域。