IPA60R360P7S-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压为650V， 连续漏极电流达15A， 导通电阻为260mΩ， 有助于降低导通损耗并提升系统效率。 栅源电压范围-5V至+16V， 支持稳定的栅极驱动与器件控制。 基于碳化硅材料的特性， 该器件具备优异的高温工作能力、高频开关性能及抗热失效特性， 适用于高功率密度电源系统。 典型应用场景包括高效开关电源、不间断电源（UPS）、可再生能源逆变装置、高密度电源适配器以及储能系统的功率转换电路。