IPA60R280P7SXKSA1-HXY

本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源电压（VDSS）与20A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻低至160mΩ， 有助于减少导通损耗并提升系统效率。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定可靠的栅极控制。 基于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性， 该器件适用于高频、高效率的功率转换设计。 典型应用包括大功率开关电源、可再生能源发电中的直流变换装置、储能系统的功率调节模块以及高密度电源适配与能量管理设备。