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IPA60R180P7-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

IPA60R180P7-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至160mΩ, 适用于高效率、高频率的功率转换场景。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 确保了稳定可靠的栅极控制。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件具有优异的开关性能和高温工作能力, 可显著降低系统开关损耗。 典型应用包括高效电源模块、高压直流变换、可再生能源逆变装置及高密度功率转换系统, 适合对热管理与能效要求严苛的设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

1

货期

现货

IPA60R180P7-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存1

IPA60R180P7-HXY概述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至160mΩ, 适用于高效率、高频率的功率转换场景。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 确保了稳定可靠的栅极控制。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件具有优异的开关性能和高温工作能力, 可显著降低系统开关损耗。 典型应用包括高效电源模块、高压直流变换、可再生能源逆变装置及高密度功率转换系统, 适合对热管理与能效要求严苛的设计需求。

IPA60R180P7-HXY特性

暂无产品特性。

IPA60R180P7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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