IPA60R180P7-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
IPA60R180P7-HXY
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至160mΩ, 适用于高效率、高频率的功率转换场景。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 确保了稳定可靠的栅极控制。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件具有优异的开关性能和高温工作能力, 可显著降低系统开关损耗。 典型应用包括高效电源模块、高压直流变换、可再生能源逆变装置及高密度功率转换系统, 适合对热管理与能效要求严苛的设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
1
货期
现货
IPA60R180P7-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IPA60R180P7-HXY概述
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至160mΩ, 适用于高效率、高频率的功率转换场景。 其栅源电压范围为-5V至+16V, 确保了稳定可靠的栅极控制。 得益于碳化硅材料的特性, 该器件具有优异的开关性能和高温工作能力, 可显著降低系统开关损耗。 典型应用包括高效电源模块、高压直流变换、可再生能源逆变装置及高密度功率转换系统, 适合对热管理与能效要求严苛的设计需求。
IPA60R180P7-HXY特性
暂无产品特性。
IPA60R180P7-HXY应用领域
暂无应用领域。
