IPA60R060P7

7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术， 根据超结 (SJ) 原理设计。 结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性， 例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的 ESD 能力。 极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。