IPA50R280CEXKSA2-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
IPA50R280CEXKSA2-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为20安培, 漏源击穿电压达500伏, 导通电阻为260毫欧, 栅源驱动电压支持30伏。 凭借高耐压与适中电流承载能力, 器件适用于光伏逆变器、高压电源适配器及电机驱动电路。 在高压开关应用中, 其参数特性有助于平衡导通损耗与耐压需求, 确保系统在高压工况下稳定运行并维持良好的热管理表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
22
货期
现货
IPA50R280CEXKSA2-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 22 |
IPA50R280CEXKSA2-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为20安培, 漏源击穿电压达500伏, 导通电阻为260毫欧, 栅源驱动电压支持30伏。 凭借高耐压与适中电流承载能力, 器件适用于光伏逆变器、高压电源适配器及电机驱动电路。 在高压开关应用中, 其参数特性有助于平衡导通损耗与耐压需求, 确保系统在高压工况下稳定运行并维持良好的热管理表现。
IPA50R280CEXKSA2-HXY特性
暂无产品特性。
IPA50R280CEXKSA2-HXY应用领域
暂无应用领域。
