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IPA50R280CEXKSA2-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

IPA50R280CEXKSA2-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为20安培, 漏源击穿电压达500伏, 导通电阻为260毫欧, 栅源驱动电压支持30伏。 凭借高耐压与适中电流承载能力, 器件适用于光伏逆变器、高压电源适配器及电机驱动电路。 在高压开关应用中, 其参数特性有助于平衡导通损耗与耐压需求, 确保系统在高压工况下稳定运行并维持良好的热管理表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

22

货期

现货

IPA50R280CEXKSA2-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存22

IPA50R280CEXKSA2-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为20安培, 漏源击穿电压达500伏, 导通电阻为260毫欧, 栅源驱动电压支持30伏。 凭借高耐压与适中电流承载能力, 器件适用于光伏逆变器、高压电源适配器及电机驱动电路。 在高压开关应用中, 其参数特性有助于平衡导通损耗与耐压需求, 确保系统在高压工况下稳定运行并维持良好的热管理表现。

IPA50R280CEXKSA2-HXY特性

暂无产品特性。

IPA50R280CEXKSA2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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