IPA083N10N5
IC
TO-220
可供量大可议
IPA083N10N5
特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀， 符合RoHS标准。 根据JEDEC认证， 适用于目标应用。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤素
品牌
Infineon
封装
TO-220
库存
93
货期
现货
IPA083N10N5参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 93 |
IPA083N10N5概述
特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀， 符合RoHS标准。 根据JEDEC认证， 适用于目标应用。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤素
IPA083N10N5特性
暂无产品特性。
IPA083N10N5应用领域
暂无应用领域。