IPA041N04N G
IC
TO-220FP
可供量大可议
IPA041N04N G
特性：针对 DC/DC 转换器优化的技术。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 100% 雪崩测试。 无铅电镀； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-220FP
库存
10
货期
现货
IPA041N04N G参数
| 封装 | TO-220FP |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPA041N04N G概述
特性：针对 DC/DC 转换器优化的技术。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 100% 雪崩测试。 无铅电镀； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
IPA041N04N G特性
暂无产品特性。
IPA041N04N G应用领域
暂无应用领域。