INN100EBD025DAD
IC
LGA-8(5x6)
可供量大可议
INN100EBD025DAD
氮化镓增强型功率晶体管， 采用氮化镓-硅E模式HEMT技术， 具有低栅极电荷、超低导通电阻、小封装尺寸和零反向恢复电荷等特点
品牌
Innoscience
封装
LGA-8(5x6)
库存
227
货期
现货
INN100EBD025DAD参数
| 封装 | LGA-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Innoscience(英诺赛科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 227 |
INN100EBD025DAD概述
氮化镓增强型功率晶体管， 采用氮化镓-硅E模式HEMT技术， 具有低栅极电荷、超低导通电阻、小封装尺寸和零反向恢复电荷等特点
INN100EBD025DAD特性
暂无产品特性。
INN100EBD025DAD应用领域
暂无应用领域。