INA851RGTR
IC
VQFN(RGT)| 16
可供量大可议
INA851RGTR
Low-noise (3.2 nV/√Hz) high-speed (22 MHz) fully-differential instrumentation amp with OVP (±40 V)
品牌
TI
封装
VQFN(RGT)| 16
库存
5
货期
现货
INA851RGTR参数
| 封装 | VQFN(RGT)| 16 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 共模抑制比(CMRR) | 106dB |
| 输入失调电压(Vos) | 10uV |
| 压摆率(SR) | 37V/us |
| 静态电流(Iq) | 6mA |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 噪声密度(eN) | 3.2nV/√Hz@1kHz |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | 5pA/℃ |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 4V~18V； -18V~-4V |
| 稳定时间 | 240ns |
| 分类 | 仪表放大器 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| 放大器数 | 单路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 5nA |
| 增益带宽积(GBP) | 15MHz |
| 输出类型 | 差分 |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 100nV/℃ |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 输入失调电流(Ios) | 5.5nA |
| 单电源 | 8V~36V |
| 电源纹波抑制比(PSRR) | 110dB |
| 功能特性 | 外部电阻增益； 过压保护； 集成ADC驱动器 |
INA851RGTR概述
Low-noise (3.2 nV/√Hz) high-speed (22 MHz) fully-differential instrumentation amp with OVP (±40 V)
INA851RGTR特性
暂无产品特性。
INA851RGTR应用领域
暂无应用领域。