INA241B4IDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
INA241B4IDR
-5-V to 110-V bidirectional high-precision current sense amplifier with enhanced PWM rejection
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
221
货期
现货
INA241B4IDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 23+ |
| 共模电压 | -5V~110V |
| 带宽 | 1.1MHz |
| 输入失调电压(Vos) | 25uV |
| 差分电压 | ±30V |
| 静态电流(Iq) | 2.5mA |
| 压摆率(SR) | 8V/us |
| 噪声密度(eN) | 36nV/√Hz |
| 分类 | 电流感应放大器 |
|---|---|
| 库存 | 221 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 增益 | 100V/V |
| 输入偏置电流(Ib) | 35uA |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 单电源电压 | 2.7V~20V |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 500nV/℃ |
| 共模抑制比(CMRR) | 130dB |
| 功能特性 | 双向检测； 零漂移/自动稳零； 可编程输出基准电平 |
INA241B4IDR概述
-5-V to 110-V bidirectional high-precision current sense amplifier with enhanced PWM rejection
INA241B4IDR特性
暂无产品特性。
INA241B4IDR应用领域
暂无应用领域。