INA212AIDCKR
自营可供
IC
SOT-363-6
INA212AIDCKR
电流感应放大器 INA212AIDCKR
品牌
TI
封装
SOT-363-6
交期
现货
批次
23+
INA212AIDCKR参数
| 封装 | SOT-363-6 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 23+ |
| 放大器数 | 1 |
| 增益 | 1000V/V |
| 输入偏置电流(Ib) | 28uA |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 单电源电压 | 2.7V~26V |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 0.5uV/℃ |
| 压摆率(SR) | 0.4V/us |
| 噪声密度(eN) | 25nV/√Hz@1kHz |
| 增益 | 1000 V/V（固定） |
| 输入噪声密度（eN） | 25 nV/√Hz @ 1 kHz |
| 输入失调电压温漂（Vos TC） | 0.5 µV/°C |
| 共模电压范围 | -0.3 V ~ +26 V |
| 单电源工作电压 | 2.7 V ~ 26 V（最大电源宽度 VDD–VSS：26 V） |
| 压摆率（SR） | 0.4 V/µs |
| 工作温度 | -40 ℃ ~ +125 ℃ |
| 分类 | 电流感应放大器 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 共模电压 | -300mV~26V |
| 带宽 | 4kHz |
| 输入失调电压(Vos) | 550nV |
| 差分电压 | ±26V |
| 静态电流(Iq) | 65uA |
| 输入失调电流(Ios) | 0.02uA |
| 共模抑制比(CMRR) | 140dB |
| 功能特性 | 使能/关断功能； 模拟输出接口； 双向检测； 输入滤波器； 高边检测； 低边检测； 零漂移/自动稳零； 可编程输出基准电平 |
| 共模抑制比（CMRR） | 140 dB |
| 输入失调电压（Vos） | 550 nV |
| 输入偏置电流（Ib） | 28 µA； 输入失调电流（Ios）：0.02 µA |
| 差分输入电压范围 | -26 V ~ +26 V |
| 带宽 | 4 kHz（在增益 1000 下的闭环带宽） |
| 静态电流（Iq） | 65 µA（典型， 低功耗） |
| 封装 | SOT-363-6（小封装， 适合空间受限应用） |
INA212AIDCKR概述
电流感应放大器 INA212AIDCKR
INA212AIDCKR特性
- 极高的共模抑制（140 dB）， 在高侧电流检测（靠近电源轨的分流电阻）场景能有效抑制共模干扰， 保证差分信号的准确放大。
- 极低的输入失调（550 nV）和低温漂（0.5 µV/℃）， 使直流和低频测量精度优异， 适合精密电流测量与长期监测。
- 低噪声（25 nV/√Hz）， 虽为低带宽放大器（4 kHz）， 但在窄带/低频应用中能提供良好的信噪比。 举例：在 4 kHz 带宽内， 输入 RMS 噪声≈1.58 µV（25 nV/√Hz × √4000）， 经 1000 倍放大后输出噪声约 1.58 mV RMS。
- 宽单电源范围（2.7 V~26 V）及共模允许至 +26 V， 支持高侧检测且能测量轻微低于地的共模（-300 mV）， 使用灵活。
- 低静态电流（65 µA）适合低功耗/电池供电系统。
- 小封装适合高密度 PCB 布局， 但需注意散热与焊接工艺。
INA212AIDCKR应用领域
- 高侧/低侧电流测量与保护：电机驱动、充放电管理、功率模块电流监测。
- 电池管理系统（BMS）：精确检测充放电电流， 估算 SOC、SOH。
- 电源管理与能耗监控：服务器、电源模块的实时功耗监测。
- 精密数据采集前端：与 ADC 配合， 用于低频、高精度的电流或小电压检测。
- 测试测量仪器：需要高共模抑制和低失调的低频信号链路。