IMZC120R078M2HXKSA1
IC
TO-247-4
可供量大可议
IMZC120R078M2HXKSA1
特性：VDSS = 1200 V， TVj = 25℃。 IDDC = 20 A， TC = 100℃。 RDS(on) = 78 mΩ， VGS = 18 V， TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200℃。 短路耐受时间 2 μs。 应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
品牌
Infineon
封装
TO-247-4
库存
27
货期
现货
IMZC120R078M2HXKSA1参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 27 |
IMZC120R078M2HXKSA1概述
特性：VDSS = 1200 V， TVj = 25℃。 IDDC = 20 A， TC = 100℃。 RDS(on) = 78 mΩ， VGS = 18 V， TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200℃。 短路耐受时间 2 μs。 应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
IMZC120R078M2HXKSA1特性
暂无产品特性。
IMZC120R078M2HXKSA1应用领域
暂无应用领域。