IMZA65R083M1HXKSA1-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压， 导通电阻典型值为75mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高温性能与开关特性， 适用于高效率、高频率的电力转换场景。 其低导通损耗和快速开关能力有助于提升系统整体能效， 适合用于对体积与热管理有较高要求的电源模块及高频逆变结构中。