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IMZA65R060M2HXKSA1
IC

TO-247-4

可供量大可议

IMZA65R060M2HXKSA1

基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术, 650V MOSFET 提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。 它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计, 以满足不断增长的系统和市场需求。

品牌

Infineon

封装

TO-247-4

库存

15

货期

现货

IMZA65R060M2HXKSA1参数

封装TO-247-4
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存15

IMZA65R060M2HXKSA1概述

基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术, 650V MOSFET 提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。 它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计, 以满足不断增长的系统和市场需求。

IMZA65R060M2HXKSA1特性

暂无产品特性。

IMZA65R060M2HXKSA1应用领域

暂无应用领域。

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