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IMZA65R039M1HXKSA1
IC

TO-247-4

可供量大可议

IMZA65R039M1HXKSA1

基于英飞凌20多年来开发的碳化硅技术构建。 利用宽带隙碳化硅材料特性, 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。 适用于高温和恶劣操作环境, 可实现最高系统效率的简化和经济高效的部署。

品牌

Infineon

封装

TO-247-4

库存

1

货期

现货

IMZA65R039M1HXKSA1参数

封装TO-247-4
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存1

IMZA65R039M1HXKSA1概述

基于英飞凌20多年来开发的碳化硅技术构建。 利用宽带隙碳化硅材料特性, 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。 适用于高温和恶劣操作环境, 可实现最高系统效率的简化和经济高效的部署。

IMZA65R039M1HXKSA1特性

暂无产品特性。

IMZA65R039M1HXKSA1应用领域

暂无应用领域。

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