IMZA65R027M1H
IC
PG-TO247-4
可供量大可议
IMZA65R027M1H
碳化硅场效应管(MOSFET) IMZA65R027M1H TO-247-4
品牌
Infineon
封装
PG-TO247-4
库存
10
货期
现货
IMZA65R027M1H参数
| 封装 | PG-TO247-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 输入电容(Ciss) | 2.131nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 189W |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF |
| 输出电容(Coss) | 317pF |
IMZA65R027M1H概述
碳化硅场效应管(MOSFET) IMZA65R027M1H TO-247-4
IMZA65R027M1H特性
暂无产品特性。
IMZA65R027M1H应用领域
暂无应用领域。