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IMZA120R040M1HXKSA1
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IC

TO-247-4

IMZA120R040M1HXKSA1

Infineon

品牌

Infineon

封装

TO-247-4

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现货

批次

待确认

IMZA120R040M1HXKSA1参数

封装TO-247-4
品牌Infineon(英飞凌)
批次待确认
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
阈值电压(Vgs(th))5.2V
输入电容(Ciss)1.62nF
工作温度-55℃~+175℃
导通电阻(RDS(on))54.4mΩ
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存8
MOQ / SPQ1 / 1
类型N沟道
耗散功率(Pd)227W
栅极电荷量(Qg)51nC
反向传输电容(Crss)11pF
输出电容(Coss)75pF

IMZA120R040M1HXKSA1概述

Infineon

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