IMZA120R030M1HXKSA1
IC
TO-247-4
可供量大可议
IMZA120R030M1HXKSA1
特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 70 A at Tc = 25℃。 RDS(on) = 30 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 短路耐受时间 3 μs。 基准栅极阈值电压， VGDS(th) = 4.2 V。 应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
品牌
Infineon
封装
TO-247-4
库存
10
货期
现货
IMZA120R030M1HXKSA1参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IMZA120R030M1HXKSA1概述
特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 70 A at Tc = 25℃。 RDS(on) = 30 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 短路耐受时间 3 μs。 基准栅极阈值电压， VGDS(th) = 4.2 V。 应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
IMZA120R030M1HXKSA1特性
暂无产品特性。
IMZA120R030M1HXKSA1应用领域
暂无应用领域。