IMZA120R020M1HXKSA1
IC
TO-247-4
可供量大可议
IMZA120R020M1HXKSA1
特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 98 A at Tc = 25℃。 RDSS(on) = 19 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 短路耐受时间3 μs。 基准栅极阈值电压， VGDD(th) = 4.2 V。 应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
品牌
Infineon
封装
TO-247-4
库存
293
货期
现货
IMZA120R020M1HXKSA1参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.1nC |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF |
| 输出电容(Coss) | 159pF |
| 商品名称 | 1200V SiC Trench MOSFET |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 293 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 输入电容(Ciss) | 3.46nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@18V |
| 商品型号 | IMZA120R020M1HXKSA1 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0086 |
IMZA120R020M1HXKSA1概述
特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 98 A at Tc = 25℃。 RDSS(on) = 19 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 短路耐受时间3 μs。 基准栅极阈值电压， VGDD(th) = 4.2 V。 应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
IMZA120R020M1HXKSA1特性
暂无产品特性。
IMZA120R020M1HXKSA1应用领域
暂无应用领域。