IMZ120R045M1XKSA1
IC
TO-247-4
可供量大可议
IMZ120R045M1XKSA1
特性：极低的开关损耗。 无阈值导通特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压。 完全可控的dv/dt。 应用：能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
品牌
Infineon
封装
TO-247-4
库存
1,915
货期
现货
IMZ120R045M1XKSA1参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1915 |
IMZ120R045M1XKSA1概述
特性：极低的开关损耗。 无阈值导通特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压。 完全可控的dv/dt。 应用：能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
IMZ120R045M1XKSA1特性
暂无产品特性。
IMZ120R045M1XKSA1应用领域
暂无应用领域。