IMYH200R050M1HXKSA1
IC
TO-247-4
可供量大可议
IMYH200R050M1HXKSA1
特性：VDSS = 2000 V at Tvj = 25 °C。 ΔDCC = 48 A at Tc = 25 °C。 RDS(on) = 50 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25 °C。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.5 V。 用于硬换向的坚固体二极管。 应用：串式逆变器。 太阳能功率优化器
品牌
Infineon
封装
TO-247-4
库存
3
货期
现货
IMYH200R050M1HXKSA1参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
IMYH200R050M1HXKSA1概述
特性：VDSS = 2000 V at Tvj = 25 °C。 ΔDCC = 48 A at Tc = 25 °C。 RDS(on) = 50 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25 °C。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.5 V。 用于硬换向的坚固体二极管。 应用：串式逆变器。 太阳能功率优化器
IMYH200R050M1HXKSA1特性
暂无产品特性。
IMYH200R050M1HXKSA1应用领域
暂无应用领域。