IMWH170R650M1XKSA1
IC
TO-247-3
可供量大可议
IMWH170R650M1XKSA1
硅碳化物沟槽MOSFET， 优化用于反激拓扑， 具有低开关损耗和可控dv/dt
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
42
货期
现货
IMWH170R650M1XKSA1参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 42 |
IMWH170R650M1XKSA1概述
硅碳化物沟槽MOSFET， 优化用于反激拓扑， 具有低开关损耗和可控dv/dt
IMWH170R650M1XKSA1特性
暂无产品特性。
IMWH170R650M1XKSA1应用领域
暂无应用领域。