IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY

本款N沟道碳化硅场效应管具有1700V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）为800mΩ， 栅源电压范围为±22V。 得益于碳化硅材料的高临界电场强度和热导率， 该器件具备优异的高压阻断能力、高温工作稳定性及快速开关特性， 能有效降低开关损耗， 提升系统能效。 适用于高电压、高频率的电力转换应用， 如大功率开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变单元及储能系统中的功率调节模块， 适合对系统紧凑性与运行可靠性有较高要求的电力电子设计场景。