IMW65R083M1HXKSA1-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IMW65R083M1HXKSA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压， 导通电阻典型值为75mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高频特性和高温稳定性， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中， 能够在严苛电气环境下实现低损耗与高可靠性运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
30
货期
现货
IMW65R083M1HXKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
IMW65R083M1HXKSA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压， 导通电阻典型值为75mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高频特性和高温稳定性， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中， 能够在严苛电气环境下实现低损耗与高可靠性运行。
IMW65R083M1HXKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IMW65R083M1HXKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。