IMW65R033M2HXKSA1-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IMW65R033M2HXKSA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流ID为99A， 漏源击穿电压VDSS达650V， 导通电阻RDS(ON)为26mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件凭借低导通电阻和高耐压能力， 适用于高效率、高开关频率的电力电子系统， 如数据中心电源、通信设备供电模块及太阳能逆变装置， 在高频运行条件下可有效降低损耗并提升系统整体能效。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
20
货期
现货
IMW65R033M2HXKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
IMW65R033M2HXKSA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流ID为99A， 漏源击穿电压VDSS达650V， 导通电阻RDS(ON)为26mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件凭借低导通电阻和高耐压能力， 适用于高效率、高开关频率的电力电子系统， 如数据中心电源、通信设备供电模块及太阳能逆变装置， 在高频运行条件下可有效降低损耗并提升系统整体能效。
IMW65R033M2HXKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IMW65R033M2HXKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。