IMW65R027M1HXKSA1-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻低至26mΩ， 栅源电压工作范围为-10V至+25V。 其宽电压驱动能力有助于提升开关可靠性， 低导通电阻可有效降低导通损耗。 器件适用于高效率、高频率的电源转换系统， 如服务器电源、通信电源及可再生能源发电设备中的功率变换环节， 在高温或高频工况下仍能维持稳定电气特性。