IMW65R026M2HXKSA1-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IMW65R026M2HXKSA1-HXY
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 最大漏极电流ID达99A， 漏源击穿电压VDSS为650V， 导通电阻RDS(ON)低至26mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件具备高耐压与低导通损耗特性， 适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景， 可在高频开关条件下保持稳定性能， 适合用于各类电源管理、可再生能源系统及高效能电能变换装置中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
7
货期
现货
IMW65R026M2HXKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
IMW65R026M2HXKSA1-HXY概述
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 最大漏极电流ID达99A， 漏源击穿电压VDSS为650V， 导通电阻RDS(ON)低至26mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件具备高耐压与低导通损耗特性， 适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景， 可在高频开关条件下保持稳定性能， 适合用于各类电源管理、可再生能源系统及高效能电能变换装置中。
IMW65R026M2HXKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IMW65R026M2HXKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。