IMW65R020M2HXKSA1-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IMW65R020M2HXKSA1-HXY
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 最大漏极电流ID达108A， 漏源击穿电压VDSS为650V， 导通电阻RDS(ON)低至20mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件凭借碳化硅材料的优异特性， 在高频、高效率电力转换场景中表现出色， 适用于对开关速度与能效要求较高的电源系统， 可有效降低导通与开关损耗， 提升整体运行效率与热管理性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
40
货期
现货
IMW65R020M2HXKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
IMW65R020M2HXKSA1-HXY概述
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 最大漏极电流ID达108A， 漏源击穿电压VDSS为650V， 导通电阻RDS(ON)低至20mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件凭借碳化硅材料的优异特性， 在高频、高效率电力转换场景中表现出色， 适用于对开关速度与能效要求较高的电源系统， 可有效降低导通与开关损耗， 提升整体运行效率与热管理性能。
IMW65R020M2HXKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IMW65R020M2HXKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。