IMW65R007M2HXKSA1
IC
TO-247-3
可供量大可议
IMW65R007M2HXKSA1
基于第二代碳化硅沟槽技术， 650 V MOSFET 可提供卓越的性能、出色的可靠性和易用性。 它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计， 以满足不断增长的系统和市场需求。
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
1
货期
现货
IMW65R007M2HXKSA1参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IMW65R007M2HXKSA1概述
基于第二代碳化硅沟槽技术， 650 V MOSFET 可提供卓越的性能、出色的可靠性和易用性。 它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计， 以满足不断增长的系统和市场需求。
IMW65R007M2HXKSA1特性
暂无产品特性。
IMW65R007M2HXKSA1应用领域
暂无应用领域。