IMW120R350M1HXKSA1
IC
TO-247-3
可供量大可议
IMW120R350M1HXKSA1
The CoolSiC™ 1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET in TO247-3 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
8
货期
现货
IMW120R350M1HXKSA1参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 24+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 输入电容(Ciss) | 182pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
IMW120R350M1HXKSA1概述
The CoolSiC™ 1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET in TO247-3 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with
IMW120R350M1HXKSA1特性
暂无产品特性。
IMW120R350M1HXKSA1应用领域
暂无应用领域。